SQJ952EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO-8
SQJ952EP-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQJ952EP-T1_GE3

Numéro d'article
SQJ952EP-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SQJ952EP-T1_GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SQJ952EP-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type -
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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