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| Numéro d'article | BY229-200HE3/45 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 8A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.85V @ 20A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 145ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220AC |
| Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BY229-200-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | 0 | Détails | |
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BY229-200HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | 0 | Détails | |
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BY229-600,127 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC | 0 | Détails | |
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BY229-600-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | 0 | Détails | |
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BY229-600HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | 0 | Détails | |
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BY229-800-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC | 0 | Détails | |
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BY229-800HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC | 0 | Détails | |
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BY229B-200-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | 0 | Détails | |
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BY229B-200-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | 0 | Détails | |
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BY229B-200HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | 0 | Détails | |
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BY229B-200HE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | 0 | Détails | |
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BY229B-400-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | 0 | Détails |