TPH3208PD

GANFET N-CH 650V 20A TO220
TPH3208PD P1
TPH3208PD P1
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Transphorm ~ TPH3208PD

Numéro d'article
TPH3208PD
Fabricant
Transphorm
La description
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TPH3208PD
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Vgs (Max) ±18V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 96W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3

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