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| Numéro d'article | TK25V60X,LQ |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 300V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 180W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 4-DFN-EP (8x8) |
| Paquet / cas | 4-VSFN Exposed Pad |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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