RN1315,LF

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
RN1315,LF P1
RN1315,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1315,LF

Numéro d'article
RN1315,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- RN1315,LF PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
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Numéro d'article RN1315,LF
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur USM

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