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| Numéro d'article | RN1113MFV,L3F |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 150mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-723 |
| Package de périphérique fournisseur | VESM |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | 0 | Détails | |
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RN1111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM PLN LF TRANSISTO | - | 2272607 | Détails |
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