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Toshiba Memory America, Inc. ~ TC58BVG1S3HBAI4

Numéro d'article	TC58BVG1S3HBAI4
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FLASH
La technologie	FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire	2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	25ns
Temps d'accès	-
Interface de mémoire	-
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	63-VFBGA
Package de périphérique fournisseur	63-TFBGA (9x11)

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
TC58BVG0S3HBAI4	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA	-	49	Détails
TC58BVG0S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA	-	56	Détails
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TC58BVG1S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	-	13764	Détails
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TC58BYG0S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE	-	17435	Détails