CSD85301Q2T

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
CSD85301Q2T P1
CSD85301Q2T P1
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Texas Instruments ~ CSD85301Q2T

Numéro d'article
CSD85301Q2T
Fabricant
Texas Instruments
La description
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- CSD85301Q2T PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article CSD85301Q2T
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 469pF @ 10V
Puissance - Max 2.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-WSON (2x2)

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