ESH1DM RSG

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
ESH1DM RSG P1
ESH1DM RSG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ ESH1DM RSG

Numéro d'article
ESH1DM RSG
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
La description
DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article ESH1DM RSG
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.5V @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 25ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 1µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F 3pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 2-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur Micro SMA
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C

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