STGWA30H65FB

IGBT
STGWA30H65FB P1
STGWA30H65FB P1
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STMicroelectronics ~ STGWA30H65FB

Numéro d'article
STGWA30H65FB
Fabricant
STMicroelectronics
La description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- STGWA30H65FB PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article STGWA30H65FB
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Puissance - Max 260W
Échange d'énergie 151mJ (on), 293mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 149nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/146ns
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247 Long Leads

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