STD120N4LF6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STD120N4LF6 P1
STD120N4LF6 P1
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STMicroelectronics ~ STD120N4LF6

Numéro d'article
STD120N4LF6
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STD120N4LF6
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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