US6K4TR

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
US6K4TR P1
US6K4TR P2
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Rohm Semiconductor ~ US6K4TR

Numéro d'article
US6K4TR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article US6K4TR
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur TUMT6

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