RUS100N02TB

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
RUS100N02TB P1
RUS100N02TB P1
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Rohm Semiconductor ~ RUS100N02TB

Numéro d'article
RUS100N02TB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article RUS100N02TB
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V
Vgs (Max) ±10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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