NTZD3155CT2G

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
NTZD3155CT2G P1
NTZD3155CT2G P1
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ON Semiconductor ~ NTZD3155CT2G

Numéro d'article
NTZD3155CT2G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTZD3155CT2G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTZD3155CT2G
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 540mA, 430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V
Puissance - Max 250mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563

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