NTLJD3119CTAG

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
NTLJD3119CTAG P1
NTLJD3119CTAG P1
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ON Semiconductor ~ NTLJD3119CTAG

Numéro d'article
NTLJD3119CTAG
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTLJD3119CTAG
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.6A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 271pF @ 10V
Puissance - Max 710mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 6-WDFN (2x2)

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