NTGD3148NT1G

MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
NTGD3148NT1G P1
NTGD3148NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTGD3148NT1G

Numéro d'article
NTGD3148NT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTGD3148NT1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NTGD3148NT1G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP

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