NDS9957

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
NDS9957 P1
NDS9957 P1
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ON Semiconductor ~ NDS9957

Numéro d'article
NDS9957
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NDS9957
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 30V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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