SA630D/01,112

IC RF SWITCH SPDT 8-SOIC
SA630D/01,112 P1
SA630D/01,112 P1
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NXP USA Inc. ~ SA630D/01,112

Numéro d'article
SA630D/01,112
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC RF SWITCH SPDT 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Commutateurs RF
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Numéro d'article SA630D/01,112
État de la pièce Active
Fréquence - Basse DC
Fréquence - Upper 1GHz
Isolement @ Fréquence 30dB @ 900MHz (typ)
Perte d'insertion @ Fréquence 2dB @ 900Mhz
IIP3 33dBm (typ)
Topologie Absorptive
Circuit SPDT
P1dB 18dBm (typ) P1dB
Caractéristiques Single Line Control
Impédance 50 Ohm
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C
Tension - Alimentation 3 V ~ 5.5 V
Type RF General Purpose
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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