PMF280UN,115

MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
PMF280UN,115 P1
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NXP USA Inc. ~ PMF280UN,115

Numéro d'article
PMF280UN,115
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- PMF280UN,115 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article PMF280UN,115
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.02A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.89nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 20V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 560mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340 mOhm @ 200mA, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-323-3
Paquet / cas SC-70, SOT-323

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