MRF8VP13350GNR3

TRANS RF LDMOS 350W 50V
MRF8VP13350GNR3 P1
MRF8VP13350GNR3 P1
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NXP USA Inc. ~ MRF8VP13350GNR3

Numéro d'article
MRF8VP13350GNR3
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
TRANS RF LDMOS 350W 50V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article MRF8VP13350GNR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 1.3GHz
Gain 19.2dB
Tension - Test 50V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 100mA
Puissance - Sortie 350W
Tension - Rated 100V
Paquet / cas OM-780G-4L
Package de périphérique fournisseur OM-780G-4L

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