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| Numéro d'article | MMRF1006HSR5 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | LDMOS |
| La fréquence | 450MHz |
| Gain | 20dB |
| Tension - Test | 50V |
| Note actuelle | - |
| Figure de bruit | - |
| Actuel - Test | 150mA |
| Puissance - Sortie | 1000W |
| Tension - Rated | 120V |
| Paquet / cas | NI-1230S-4 |
| Package de périphérique fournisseur | NI-1230S-4 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 | 0 | Détails | |
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MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | 0 | Détails | |
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MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 | 0 | Détails | |
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MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S | 0 | Détails | |
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MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | 50 | Détails | |
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MMRF1006HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S | 0 | Détails | |
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MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 | 0 | Détails | |
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MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | 0 | Détails | |
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MMRF1008GHR5 | NXP USA Inc. | PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER | - | 287 | Détails |
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MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 0 | Détails | |
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MMRF1008HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | 0 | Détails | |
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MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S | 0 | Détails |