MHT1108NT1

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
MHT1108NT1 P1
MHT1108NT1 P1
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NXP USA Inc. ~ MHT1108NT1

Numéro d'article
MHT1108NT1
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article MHT1108NT1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 2.45GHz
Gain 18.6dB
Tension - Test 32V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 110mA
Puissance - Sortie 12.5W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas 16-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 16-DFN (4x6)

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