BUK7C1R2-40EJ

MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7
BUK7C1R2-40EJ P1
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NXP USA Inc. ~ BUK7C1R2-40EJ

Numéro d'article
BUK7C1R2-40EJ
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BUK7C1R2-40EJ PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article BUK7C1R2-40EJ
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D2PAK (7-Lead)
Paquet / cas TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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