A2T18S160W31SR3

IC TRANS RF LDMOS
A2T18S160W31SR3 P1
A2T18S160W31SR3 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T18S160W31SR3

Numéro d'article
A2T18S160W31SR3
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2T18S160W31SR3
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.88GHz
Gain 19.9dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 1A
Puissance - Sortie 32W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas NI-780S-2L2LA
Package de périphérique fournisseur NI-780S-2L2LA

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