A2I08H040NR1

IC RF LDMOS AMP
A2I08H040NR1 P1
A2I08H040NR1 P1
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NXP USA Inc. ~ A2I08H040NR1

Numéro d'article
A2I08H040NR1
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC RF LDMOS AMP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2I08H040NR1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 920MHz
Gain 30.7dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 25mA
Puissance - Sortie 9W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas TO-270-15 Variant, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur TO-270WB-15

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