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| Numéro d'article | A2G35S160-01SR3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | LDMOS |
| La fréquence | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Gain | 15.7dB |
| Tension - Test | 48V |
| Note actuelle | - |
| Figure de bruit | - |
| Actuel - Test | 190mA |
| Puissance - Sortie | 51dBm |
| Tension - Rated | 125V |
| Paquet / cas | NI-400S-2S |
| Package de périphérique fournisseur | NI-400S-2S |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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A2G35S160-01SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR | - | 565 | Détails |
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A2G35S200-01SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR | - | 533 | Détails |