BUK6Y57-60PX

BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK
BUK6Y57-60PX P1
BUK6Y57-60PX P1
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Nexperia USA Inc. ~ BUK6Y57-60PX

Numéro d'article
BUK6Y57-60PX
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BUK6Y57-60PX PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article BUK6Y57-60PX
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 23A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1.2nF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 66W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas SC-100, SOT-669

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