SG2013J-883B

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
SG2013J-883B P1
SG2013J-883B P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Microsemi Corporation ~ SG2013J-883B

Numéro d'article
SG2013J-883B
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SG2013J-883B PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article SG2013J-883B
État de la pièce Active
Type de transistor 7 NPN Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 600mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.9V @ 600µA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 900 @ 500mA, 2V
Puissance - Max -
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur 16-CDIP

Produits connexes

Tous les produits