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| Numéro d'article | MSMCJ8.0CAE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | - |
| Canaux bidirectionnels | 1 |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 8V |
| Tension - Panne (Min) | 8.89V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 13.6V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 110.3A |
| Puissance - Impulsion de crête | 1500W (1.5kW) |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214AB, SMC |
| Package de périphérique fournisseur | DO-214AB (SMCJ) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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MSMCG100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 200 | Détails |
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MSMCG10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Détails |
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MSMCG110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AB | - | 0 | Détails |