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| Numéro d'article | MSMBJSAC8.0 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 8V |
| Tension - Panne (Min) | 8.89V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 13.4V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 36A |
| Puissance - Impulsion de crête | 500W |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | 30pF @ 1MHz |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214AA, SMB |
| Package de périphérique fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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MSMBG100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Détails |
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MSMBG110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | Détails |