JANTXV2N6788U

MOSFET N-CH 100V 4.5A
JANTXV2N6788U P1
JANTXV2N6788U P1
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Microsemi Corporation ~ JANTXV2N6788U

Numéro d'article
JANTXV2N6788U
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET N-CH 100V 4.5A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- JANTXV2N6788U PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article JANTXV2N6788U
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 800mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 18-ULCC (9.14x7.49)
Paquet / cas 18-BQFN Exposed Pad

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