JANSR2N7380

N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
JANSR2N7380 P1
JANSR2N7380 P1
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Microsemi Corporation ~ JANSR2N7380

Numéro d'article
JANSR2N7380
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article JANSR2N7380
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 14.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 14.4A, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 12V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta), 75W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-257
Paquet / cas TO-257-3

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