JAN2N5014S

NPN TRANSISTOR
JAN2N5014S P1
JAN2N5014S P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Microsemi Corporation ~ JAN2N5014S

Numéro d'article
JAN2N5014S
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
NPN TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- JAN2N5014S PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article JAN2N5014S
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 900V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Puissance - Max 1W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-39 (TO-205AD)

Produits connexes

Tous les produits