APTGLQ100A120TG

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ100A120TG P1
APTGLQ100A120TG P1
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Microsemi Corporation ~ APTGLQ100A120TG

Numéro d'article
APTGLQ100A120TG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER MODULE - IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGLQ100A120TG PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGLQ100A120TG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 170A
Puissance - Max 520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur SP4

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