APTC60AM35T1G

MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
APTC60AM35T1G P1
APTC60AM35T1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTC60AM35T1G

Numéro d'article
APTC60AM35T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTC60AM35T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article APTC60AM35T1G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 72A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 518nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Puissance - Max 416W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1

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