APT25SM120S

POWER MOSFET - SIC
APT25SM120S P1
APT25SM120S P1
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Microsemi Corporation ~ APT25SM120S

Numéro d'article
APT25SM120S
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER MOSFET - SIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT25SM120S PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article APT25SM120S
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10A, 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur D3
Paquet / cas D-3 Module

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