APT20M11JVR

MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
APT20M11JVR P1
APT20M11JVR P1
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Microsemi Corporation ~ APT20M11JVR

Numéro d'article
APT20M11JVR
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT20M11JVR PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article APT20M11JVR
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 175A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC

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