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| Numéro d'article | APT15GP60KG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | PT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 56A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 65A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
| Puissance - Max | 250W |
| Échange d'énergie | 130µJ (on), 121µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 55nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 8ns/29ns |
| Condition de test | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220 [K] |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Détails | |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Détails |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Détails |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Détails |