2N5014

NPN SILICON TRANSISTOR
2N5014 P1
2N5014 P1
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Microsemi Corporation ~ 2N5014

Numéro d'article
2N5014
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
NPN SILICON TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article 2N5014
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 900V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Puissance - Max 1W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-5

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