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Microsemi Corporation ~ 1N6628US/TR

Numéro d'article	1N6628US/TR
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Courant - Rectifié moyen (Io)	2.3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.5V @ 4A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	45ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	2µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F	40pF @ 10V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SQ-MELF, E
Package de périphérique fournisseur	D-5B
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 150°C

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
1N6620	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL	-	0	Détails
1N6620US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF	-	0	Détails
1N6621	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL	-	0	Détails
1N6621US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF	-	425	Détails
1N6621US/TR	Microsemi Corporation	UFRFRR	-	26994	Détails
1N6622	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL	-	159	Détails
1N6622US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF	-	220	Détails
1N6623	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL	-	0	Détails
1N6623US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF	-	0	Détails
1N6624	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK	-	0	Détails
1N6624US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF	-	0	Détails
1N6625	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL	-	0	Détails