MT29F512G08CECBBJ4-37:B

IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ
MT29F512G08CECBBJ4-37:B P1
MT29F512G08CECBBJ4-37:B P1
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Micron Technology Inc. ~ MT29F512G08CECBBJ4-37:B

Numéro d'article
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Fabricant
Micron Technology Inc.
La description
IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MT29F512G08CECBBJ4-37:B PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article MT29F512G08CECBBJ4-37:B
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 512Gb (64G x 8)
Fréquence d'horloge 267MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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