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| Numéro d'article | MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 2Tb (256G x 8) |
| Fréquence d'horloge | 167MHz |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA | - | 0 | Détails |
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MT29E2T08CTCCBJ7-6:C | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ | - | 247 | Détails |
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MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA | - | 0 | Détails |
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ | - | 303 | Détails |
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA | - | 0 | Détails |
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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA | - | 0 | Détails |