MMIX4G20N250

MOSFET N-CH
MMIX4G20N250 P1
MMIX4G20N250 P1
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IXYS ~ MMIX4G20N250

Numéro d'article
MMIX4G20N250
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Matrices
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Numéro d'article MMIX4G20N250
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 2500V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 23A
Puissance - Max 100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 20A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 10µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce -
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 24-SMD Module, 9 Leads
Package de périphérique fournisseur SMPD

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