IXYA20N65C3

IGBT
IXYA20N65C3 P1
IXYA20N65C3 P1
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IXYS ~ IXYA20N65C3

Numéro d'article
IXYA20N65C3
Fabricant
IXYS
La description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXYA20N65C3 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IXYA20N65C3
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Puissance - Max 230W
Échange d'énergie 430µJ (on), 650µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 30nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 19ns/80ns
Condition de test 400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 34ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur TO-263AA

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