Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | IXTY01N100D |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 100mA (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | Depletion Mode |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 Ohm @ 50mA, 0V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | - | 4699 | Détails |
 |
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | - | 699 | Détails |
 |
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | - | 0 | Détails |
 |
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | - | 0 | Détails |
 |
IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | 30 | Détails | |
 |
IXTY02N50D TRL | IXYS | MOSFET N-CH | - | 31739 | Détails |
 |
IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | - | 0 | Détails |
 |
IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | - | 1957 | Détails |
 |
IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | - | 0 | Détails |
 |
IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | - | 0 | Détails |
 |
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 526 | Détails | |
 |
IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | 0 | Détails |