Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | IXTT2N170D2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2A (Tj) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3650pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | Depletion Mode |
| Dissipation de puissance (Max) | 568W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 1A, 0V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-268 |
| Paquet / cas | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 | - | 319 | Détails |
 |
IXTT100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | - | 0 | Détails |
 |
IXTT10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | - | 0 | Détails |
 |
IXTT10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 | 0 | Détails | |
 |
IXTT10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 | 0 | Détails | |
 |
IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | 0 | Détails | |
 |
IXTT110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | 88 | Détails | |
 |
IXTT110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | - | 0 | Détails |
 |
IXTT11P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 | 0 | Détails | |
 |
IXTT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | - | 0 | Détails |
 |
IXTT12N140 | IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 | 0 | Détails | |
 |
IXTT12N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 | - | 0 | Détails |