IXTL2X200N085T

MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
IXTL2X200N085T P1
IXTL2X200N085T P1
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IXYS ~ IXTL2X200N085T

Numéro d'article
IXTL2X200N085T
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXTL2X200N085T PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article IXTL2X200N085T
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 85V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 112A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V
Puissance - Max 150W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas ISOPLUSi5-Pak™
Package de périphérique fournisseur ISOPLUSi5-Pak™

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