IXKF40N60SCD1

MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
IXKF40N60SCD1 P1
IXKF40N60SCD1 P1
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IXYS ~ IXKF40N60SCD1

Numéro d'article
IXKF40N60SCD1
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXKF40N60SCD1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXKF40N60SCD1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 41A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS i4-PAC™
Paquet / cas i4-Pac™-5 (3 leads)

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