IXFH80N20Q

MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
IXFH80N20Q P1
IXFH80N20Q P2
IXFH80N20Q P1
IXFH80N20Q P2
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IXYS ~ IXFH80N20Q

Numéro d'article
IXFH80N20Q
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXFH80N20Q
État de la pièce Last Time Buy
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247AD (IXFH)
Paquet / cas TO-247-3

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