IRFHS8342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
IRFHS8342TRPBF P1
IRFHS8342TRPBF P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Infineon Technologies ~ IRFHS8342TRPBF

Numéro d'article
IRFHS8342TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
IRFHS8342TRPBF.pdf IRFHS8342TRPBF PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article IRFHS8342TRPBF
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-PQFN (2x2)
Paquet / cas 8-PowerVDFN

Produits connexes

Tous les produits